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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제1호
발행연도
2014.1
수록면
39 - 44 (6page)

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본 연구에서는 상온에서 유도 결합 플라즈마를 이용하여 N2 플라즈마를 발생시켜 실리콘 질화막을 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 방법으로 증착하였다. 두 가지 RF bias power에서 RF Source power를 변화시키며 저온 플라즈마 처리한 박막 표면을 Fourier Transform Infrared Spectroscopy와 Atomic Force Microscopy을 이용하여 조사하였다. 플라즈마 처리로 인해 박막의 수소 결합의 감소와 표면의 거칠기 개선을 확인하였다. 위의 원인을 분석하기 위해서 Optical Emission Spectroscopy와 Double Langmuir Probe를 사용했다. 이러한 결과에 의하여 N2 플라즈마 처리는 플렉서블 디스플레이에 사용되는 실리콘 질화막의 특성을 향상시키는데 유용함을 확인할 수 있었다.
#Plasma nitridation #Silicon nitride #Thin film #Low temperature #Flexible display #ICP #PECVD #FT-IR #AFM #OES #DLP

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