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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 415 - 418 (4page)
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본 논문에서는 atomic layer deposition 기술을 이용하여 높은 종횡비 (aspect ratio)와 뛰어난 단차 피복성 (step coverage)을 가지는 TiO2 기반의 thin-film transistors (TFTs)를 제작하였다. Rapid thermal annealing을 통해 상변이 된 rutile TiO2 반도체 박막을 성막하였고, 채널의 길이가 200 ㎛의 경우에 누설전류 (off 상태에서의 전류흐름이 없음) 및 문턱 전압 (-10 V ∼ 0V) 특성, 전류 점멸비 (<105) 등이 우수한 TFT 특성을 보였다.
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참고문헌 (18)
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B. S. Ong / 2007 / / J. Am. Chem. Soc. 129 : 2750 ~
C. F. Zhu / 2001 / / IEEE Electron Device 48 : 1225 ~
C. G. Van de Walle / 2000 / / Phys. Rev. Lett. 85 : 1012 ~
C. Y. Koo / 2010 / / Electrochem. Solid-State Lett. 157 : J111 ~
Chaun Gi Choi / 2008 / Solution-Processed Indium-Zinc Oxide Transparent Thin-Film Transistors / Electrochemical and Solid-State Letters 11 (1) : H7 ~
C. F. Zhu / 2001 / / IEEE Electron Device 48 : 1225 ~
C. G. Van de Walle / 2000 / / Phys. Rev. Lett. 85 : 1012 ~
C. Y. Koo / 2010 / / Electrochem. Solid-State Lett. 157 : J111 ~
Chaun Gi Choi / 2008 / Solution-Processed Indium-Zinc Oxide Transparent Thin-Film Transistors / Electrochemical and Solid-State Letters 11 (1) : H7 ~
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