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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 20 - 23 (4page)
이용수
초록· 키워드
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본 논문에서는 Fluorine의 주입이 NMOSFET 소자에서의 소자 특성과 hot carrier 신뢰성 그리고 RTS 노이즈 특성에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 연구하였다. Fluorine이 주입된 NMOSFET에서의 capacitance는 게이트 산화막 두께의 증가로 인해 감소하는 결과를 나타낸다. RTS 노이즈 특성은 Si/SiO2 계면에서의 트랩 농도의 감소로 인해 fluorine이 주입된 소자에서 약 46% 정도 개선되는 효과를 보였다. 또한 향상된 게이트 산화막 특성으로 인해 fluorine 주입된 소자에서 더 긴 hot carrier 수명 시간을 갖는다.
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