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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 108 - 111 (4page)
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II족-IV족 산화아연(ZnO)은 넓은 밴드갭과 높은 이온 반응성 특성을 이용하여 광소자(LED), 가스 센서, 트렌지스터(FET)등의 전자소자로 널리 이용되고 있다. 현재 산화아연 박막 성장을 위해 다양한 방법이 시도 되고 있지만, 본 실험에서 사용된 펄스 레이저를 이용한 산화아연 박막은 결정성이 매우 우수하다. 다양한 조건들의 변화를 통해 산화아연 박막의 최적 조건이 연구되었으며, 특히 넓은 영역의 산소 분압의 변화와 성장 온도 조절을 통해 성장된 산화아연 박막의 특성을 x-ray, AFM 분석을 통해 그 특성을 관찰 하였다.
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