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ZnxMn3-xO4 (0.95≤x≤1.20) specimens were prepared using a conventional solid state reaction method. All specimenswere sintered in air at 1,200℃ for 12 h, cooled at a rate of 2℃/min to 800℃, and subsequently quenched to roomtemperature. We investigated the electrical properties of ZnxMn3-xO4 specimens with various amounts of ZnO foruse as IR detectors. At a composition of x≥1.15, the ZnO phase precipitates beside the spinel structure. The electricalresistivity at room temperature, activation energy, responsivity, and detectivity of a Zn1.10Mn1.90O4 specimen are 653.2kΩ-cm, 0.392 eV, 0.016 V/W, and 7.52×103 cmHz1/2/W, respectively.

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