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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제12권 제6호
발행연도
2011.1
수록면
262 - 266 (5page)

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A simulation study of a current-mode direct current (DC)-DC boost converter is presented in this paper. This converter, with a fully- integrated power module, is implemented by using bipolar complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) technology. The current-sensing circuit has an op-amp to achieve high accuracy. With the sense metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in the current sensor, the sensed inductor current with the internal ramp signal can be used for feedback control. In addition, BiCMOS technology is applied to the converter, for accurate current sensing and low power consumption. The DC-DC converter is designed with a standard 0.35 μm BiCMOS process. The off-chip inductor-capacitor (LC) filter is operated with an inductance of 1mH and a capacitance of 12.5 nF. Simulation results show the high performance of the current-sensing circuit and the validity of the BiCMOS converter. The output voltage is found to be 4.1 V with a ripple ratio of 1.5% at the duty ratio of 0.3. The sensing current is measured to be within 1 mA and follows to fit the order of the aspect ratio, between sensing and power FET.
#Current-mode #Boost converter #Current-sensing #BiCMOS #Output ripple

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A. S. Sedra / 2004 / Microelectronic Circuits, 5th ed / Oxford University Press google schola C. Y. Leung / 2005 / / IEEE J. Solid- State Circuits 40 : 2265 ~ google schola M. Corsi / 1995 / Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Minneapolis : 55 ~ google schola P. Midya / 2001 / / IEEE Trans. Power Electron 16 : 522 ~ google schola R. G. Meyer / 1994 / / IEEE J. Solid-State Circuits 29 : 350 ~ google schola

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