Electron Transport Mechanisms in Ag Schottky Contacts Fabricated on O-polar and Nonpolar m-plane Bulk ZnO

김호경

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김호경

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제5호

발행연도: 2015.1

수록면: 285 - 289 (5page)

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We prepared silver Schottky contacts to O-polar and nonpolar m-plane bulk ZnO wafers. Then, by considering various transport models, we performed a comparative analysis of the current transport properties of Ag/bulk ZnO Schottky diodes, which were measured at 300, 200, and 100 K. The fitting of the forward bias current-voltage (I-V) characteristics revealed that the tunneling current is dominant as the transport component in both the samples. Compared to thermionic emission (TE), a stronger contribution of tunneling current was observed at low temperature. The reverse bias I-V characteristics were well fitted with the thermionic field emission (TFE) in both the samples. The presence of acceptor-like adsorbates, such as O2 and H2O, modulated the surface conductive state of ZnO, thereby affecting the tunneling effect. The degree of activation/passivation of acceptor-like adsorbates might be different in both the samples owing to their different surface morphologies and surface defects (e.g., oxygen vacancies).

#Bulk ZnO #Current transport #Tunneling current

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A. Lajn / 2009 / Properties of reactively sputtered Ag, Au, Pd, and Pt Schottky contacts on n-type ZnO / Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Na

A.Y.C. Yu / 1970 / Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers / Solid-State Electronics 13 (2) : 239 ~ 247

Dawei Yan / 2013 / Forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaN Schottky diodes / Journal of Applied Physics 114 (14) : 144511 ~

Divya Somvanshi / 2013 / Mean Barrier Height and Richardson Constant for Pd/ZnO Thin Film-Based Schottky Diodes Grown on n-Si Substrates by Thermal Evaporation Method / IEEE

E. Gur / 2007 / / J. Phys.: Condens. Matter 19 : 196206 ~

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