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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제7호
발행연도
2005.1
수록면
589 - 593 (5page)

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The electronic states of ZnO doped with Al, Ga and In, which belong to III family elements in periodic table, were calculated using the density functional theory. In this study, the calculation was performed by two programs; the discrete variational Xα (DV-Xα) method, which is a sort of molecular orbital full potential method; Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), which is a sort of pseudo potential method. The fundamental mixed orbital structure in each energy level near the Fermi level was investigated with simple model using DV-Xα. The optimized crystal structures calculated by VASP were compared to the measured structures. The density of state and the energy levels of dopant elements were shown and discussed in association with properties.

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