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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제7호
발행연도
2005.1
수록면
605 - 609 (5page)

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Chemical mechanical polishing (CMP) of Ni was performed by the various ratios of four kinds of oxidizers and an addition of alumina powders as an abrasive in each slurry with the different oxidizers. Moreover, the interaction between the Ni and the each oxidizer was discussed by potentiodynamic polarization measurement, in order to compare the effects of Ni-CMP and electrochemical characteristics on the Ni with the different oxidizers. As an experimental result, the removal rate of Ni reached a maximum at 1 vol% of H2O2. Also the removal rates of Ni increased with the addition of alumina abrasives in each slurry. The potentiodynamic polarization of Ni under dynamic condition showed a significant difference in electrochemical behavior by addition of H2O2 in solutions. Ni showed the perfect passivation behavior in solution without H2O2 under potentiodynamic polarization condition, while active dissolution dominates in solution with the addition of H2O2. The results indicate that the surface chemistry and electrochemical characteristics of Ni play an important role in controlling the polishing behavior of Ni.
#Nickel #Chemical mechanical polishing #CMP) #Oxidizer #Potentiodynamic polarization

목차

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참고문헌 (8)

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/ 1995. / High- aspect-ratio photolithography for MEMS applications 4 (4) : 220 ~ google schola / 1996. / Future of micro- electromechanical systems 56 : 1 135 ~ 2 google schola / 1999. / Study of micro-defect on oxide CMP in VLSI circuits 99-37 : 275 ~ google schola / 2001. / Optimization of polishing pad set for direct STI-CMP applications Proceedings of 18th VLSI Multilevel Interconnection Conference : 230 ~ google schola / 2003. / 혼합 산화제가 W-CMP 특성에 미치는 영향 16 (12) : 1181 ~ google schola

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