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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 327 - 331 (5page)
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금속성 전도경로 메커니즘의 ReRAM은 고체전해질 박막 내부에 금속의 전기화학적 조절에 기인한다. 비정질 칼코게나이드 재료는 고체전해질 특성과 광학적 반응성을 함께 가진다. 비정질 As2Se3 기반 ReRAM의 메모리 특성을 향상시키기 위해 광학적 반응성을 이용하였다. 본 연구는 전도경로의 직선화를 위해 비정질 As2Se3 박막에 홀로그래픽 격자 모양의 패턴을 형성하는 것에 초점이 맞춰져 있다. 굴절률, 흡수계수와 같은 광학적 파라미터들은 n&k 박막 분석장치를 이용해 얻었으며, 이런 기본적 광학 파라미터를 근거로 He-Cd 레이저 (파장 : 325 nm)를 선택하였다. 금속성 채널 패턴은 He-Cd 레이저를 이용한 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 형성되었다. 홀로그래픽 리쏘그래피 방법에 의해 주기적으로 광확산된 Ag+ 이온들은 직선 채널 패턴의 역할을 하게 될 것이다. 제작된 ReRAM은 동작 전압의 감소와 보다 좋은 신뢰성을 확인할 수 있었다.
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