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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제7호
발행연도
2016.1
수록면
387 - 393 (7page)

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많은 박막트랜지스터들에서 문턱전압 이동이 관측되고 있으며, 시간에 따른 문턱전압의 이동은 stretched-exponential 또는 stretched-hyperbola 모델로 표현이 가능하다. 이러한 분석모델은 문턱전압을 발생시키는 결함생성 또는 전하포획 반응에 대한 운동방정식에서 유도된 것이며, 이 반응들은 가역적인 특성을 가져야 한다. 실제의 박막트랜지스터에서는 영구적으로 문턱전압을 이동시키는 비가역적인 반응이 존재하기 때문에 가역반응과 비가역반응이 모두 존재하는 것으로 고려해야 한다. 본 논문에서는 이 두 반응들이 병렬로 존재하는 상황에 대한 모델을 만들고, 두 반응들에 의해 발생할 수 있는 복합적인 문턱전압의 이동들을 시뮬레이션하였다. 이 결과 박막트랜지스터에서 두 반응이 비슷한 시간대에 발생한 경우에 관측된 복합적인 문턱전압의 이동 형태가 분석모델과 거의 일치하게 되며, 이 관측 데이터만으로는 두 종류의 반응이 동시에 발생한 것을 알기 어렵다는 것을 보였다.
#Threshold voltage shift #Thin-film transistor #Kinetic equation

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J. H. Kang / 2011 / IEEE Trans Dev. Mater. Reliab. 11:112 Crossref Y. R. Liu / 2012 / IEEE Trans Dev. Mater. Reliab. 12:58 Crossref I. T. Cho / 2009 / Secmicond. Sci. Technol. 24:015013 Crossref W. B. Jackson / 1989 / Phys. Rev. B 39:1164 Crossref W. B. Jackson / 1990 / Phys. Rev. B 41:1059 Crossref

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