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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제8호
발행연도
2014.1
수록면
501 - 504 (4page)

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본 논문에서는 SJ MOSFET의 가장 큰 장점인 낮은 온 저항을 구현하는 핵심공정을 개발하여 서술하고자 하였다. 우선적으로 공정시뮬레이션을 이용하여 SJ MOSFET의 최적 구조를 설정하였으며, 반복 시뮬레이션을 통해 그에 따른 공정흐름도를 개발하였다. 공정흐름에 따라 게이트 단의 공정을 수행하였으며, 소오스와 드레인단의 공정은 일반 planar MOSFET의 공정과 유사하여 그대로 진행하였다. 그 다음으로 핵심공정인 deep trench 공정을 개발하기 위하여 photo mask 공정을 수행한 후 deep trench 공정을 개발 완료하였다. 개발된 공정은 자동차용 반도체로 주목받고 있는 SJ MOSFET 개발에 더욱 더 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
#Super juction #n-pillar #p-pillar #On-resistance #Breakdown voltage #Trench angle #Power devices #Power MOSFET #Epi-layer #Process design #Process parameter #Design parameter

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참고문헌 (7)

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E. G. Kang / 2002 / / J. KIEEME 15 : 758 ~ google schola E. Gates / 2001 / Introduction to Electronics / Delmar google schola H. S. Lee / 2006 / / KIEE 7 google schola M. A. Paul / 2006 / Electronic Principles / McGraw-Hill College google schola W. H. Hayt / 2005 / Eng. Ineer. Ingelect. Romagnetics-7/E / McGraw-Hill google schola

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