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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제6호
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 334 - 337 (4page)
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Pure ZnO, ZnO nanowires doped with 3 wt.% Ga (3GZO) and doped with 3 wt.% Ag (3SZO) were grown by a hot-walled pulse laser deposition (HW-PLD) technique. The optical and chemical properties of Ga and Ag doped nanowires was analyzed. Nanowires were determined to be under 200 nm in diameter and several μm in length. Change of significant resistance was observed and the gas detection sensitivities of ZnO, 3GZO and 3SZO nanawires were compared. The sensitivities of ZnO, 3GZO, and 3SZO nanowire sensors were measured at 300℃ for 1 ppm of ethanol gas at 97%, 48%, and 203%, respectively.
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Andrei Kolmakov / 2004 / CHEMICAL SENSING AND CATALYSIS BY ONE-DIMENSIONAL METAL-OXIDE NANOSTRUCTURES / Annual Review of Materials Research 34 (1) : 151 ~ 180
Bin Xiang / 2007 / Rational Synthesis of p-Type Zinc Oxide Nanowire Arrays Using Simple Chemical Vapor Deposition / Nano Letters 7 (2) : 323 ~ 328
Chao Li / 2003 / Surface Treatment and Doping Dependence of In 2 O 3 Nanowires as Ammonia Sensors / The Journal of Physical Chemistry B 107 (45) : 12451 ~ 12455
Daihua Zhang / 2003 / Doping dependent NH[sub 3] sensing of indium oxide nanowires / Applied Physics Letters 83 (9) : 1845 ~
Daihua Zhang / 2004 / Detection of NO 2 down to ppb Levels Using Individual and Multiple In 2 O 3 Nanowire Devices / Nano Letters 4 (10) : 1919 ~ 1924
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