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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
143 - 147 (5page)

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Surface defects and bulk defects on SOI wafers are studied. Two new metrologies have been proposed to characterize surface and bulk defects in epitaxial layer transfer (ELTRAN) wafers. They included the following: i) laser scattering particle counter and coordinated atomic force microscopy (AFM) and Cu-decoration for defect isolation and ii) cross-sectional transmission electron microscope (TEM) foil preparation using focused ion beam (FIB) and TEM investigation for defect morphology observation. The size of defect is 7.29 um by AFM analysis, the density of defect is 0.36 /cm2 at as-direct surface oxide defect (DSOD), 2.52 /cm2 at ox-DSOD. A hole was formed locally without either the silicon or the buried oxide layer (Square Defect) in surface defect. Most of surface defects in ELTRAN wafers originate from particle on the porous silicon.
#ELTRAN #AFM #TEM #FIB #Square defect

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/ 1991. / Materials to VLSI google schola / 1995. / Epitaxial Growth on Porous Si for a New Bond and Etch-back Silicon-on-Insulator 142 : 3116 ~ google schola / 1996. / CMOS device and interconnect technology enhancements for low power/low voltage applications 39 : 481 ~ google schola / 1997. / Current Progress in Epitaxial Layer Transfer(ELTRAN) IEICE Trans : 378 ~ google schola / 1997. / Eltran Epitaxial Layer Transfer 99 (3) : 111 ~ google schola

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