Investigation of Endurance Degradation in a CTF NOR Array Using Charge Pumping Methods

Ho-Myoung An; 김병철

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자료유형: 학술저널

저자정보: Ho-Myoung An 김병철

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제1호

발행연도: 2016.1

수록면: 25 - 28 (4page)

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We investigate the effect of interface states on the endurance of a charge trap flash (CTF) NOR array using charge pumping methods. The endurance test was completed from one cell selected randomly from 128 bit cells, where the memory window value after 102 program/erase (P/E) cycles decreased slightly from 2.2 V to 1.7 V. However, the memory window closure abruptly accelerated after 103 P/E cycles or more (i.e. 0.97 V or 0.7 V) due to a degraded programming speed. On the other hand, the interface trap density (Nit) gradually increased from 3.13×1011 cm-2 for the initial state to 4×1012 cm-2 for 102 P/E cycles. Over 103 P/E cycles, the Nit increased dramatically from 5.51×1012 cm-2 for 103 P/E cycles to 5.79×1012 cm-2 for 104 P/E cycles due to tunnel oxide damages. These results show good correlation between the interface traps and endurance degradation of CTF devices in actual flash cell arrays.

#Charge-trap flash #CTF) #SONOS #NOR array #Charge pumping method

참고문헌 (19)

참고문헌 신청

Ho-Jung Kang / 2015 / Extraction of Interface Trap Density in the Region Between Adjacent Wordlines in NAND Flash Memory Strings / IEEE Electron Device Letters 36(1):53~55

Alban Zaka / 2012 / An Efficient Nonlocal Hot Electron Model Accounting for Electron–Electron Scattering / IEEE Transactions on Electron Devices 59(4):983~993

Jiankang Bu / 2001 / Effects of two-step high temperature deuterium anneals on SONOS nonvolatile memory devices / IEEE Electron Device Letters 22(1):17~19

Ho-Myoung An / 2011 / Multilevel programming at a low-voltage step using junction avalanche hot carrier injections / Applied Physics Letters 98(15):153503

Ho-Myoung An / 2011 / Substrate-Bias Assisted Hot Electron Injection Method for High-Speed, Low-Voltage, and Multi-Bit Flash Memories / Japanese Journal of Applied Physics 50(12R):124201

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