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논문 기본 정보

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저널정보
한국항해항만학회 한국항해항만학회지 한국항해항만학회지 제27권 제1호
발행연도
2003.1
수록면
81 - 86 (6page)

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본 논문은 초고주파 전력증폭기용 LDMOS(Lateral double-diffused MOS) MRF-21060 소자의 게이트 바이어스 전압을 조절하여 온도 변화에 따른 드레인(Drain) 전류의 변화를 억제하기 위한 PNP 트랜지스터를 사용하여 능동 바이어스 회로를 구현하였다. MRF-21060을 구동하기 위한 방법으로서는 AH1과 평형증폭기인 A11을 사용하여 구동 증폭단을 설계제작하였다.제작된 5 W 초고주파 전력증폭기는 0 ～ 60 ℃까지의 온도변화에 대하여 소모전류 변화량이 수동 바이어스 회로에서 0.5 A로 높은 반면, 능동 바이어스 회로에서는 0.1 A 이하의 우수한 특성을 얻었다. 전력증폭기는 2.11 ～ 2.17 GHz 주파수 대역에서 32 dB 이상의 이득과 ±0.09 dB 이하의 이득 평탄도가 나타났으며, -19 dB 이하의 입출력 반사손실을 가진다.핵심용어 : 능동 바이어스 회로, 초고주파 전력증폭기, 평형증폭기, LDMOS
#Active Biasing Circuit #RF Power Amplifier #Parallel Power Amplifier #LDMOS

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