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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.9
- 수록면
- 832 - 838 (7page)
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본 논문에서는 차세대 전력 반도체 소자인 4H-SiC MOSFET에 대해 연구하였다. 특히 3300V급에서 기존의 DMOSFET 구조보다 개선된 전기적 특성을 갖는 Semi-SuperJunction MOSFET 구조를 제안하였으며, TCAD 시뮬레이션을 통해 기존의 MOSFET과 전기적 특성을 비교 분석하였다. Semi-SJ MOSFET 구조는 부분적으로 SJ를 도입한 구조로, 2차원의 공핍효과를 통해 전계 분포가 개선되며, 항복 전압이 증가한다. 항복 전압의 개선을 통해 얻은 이득으로, 높은 농도의 도핑이 가능하기 때문에 온 저항을 개선시킬 수 있다. 제안한 Semi-SJ MOSFET 구조는 DMOSFET보다 항복 전압이 8% 감소하지만, 온 저항이 80% 감소한다. 또한 DMOSFET 구조를 개선한 Current Spreading Layer(CSL)구조에 비해서도 온 저항이 44% 감소한다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
Baliga. B. J. / 2008 / Fundamentals of power semiconductor devices / Springer Science & Business Media
Baliga. B. J. / 2006 / Silicon carbide power devices / World scientific
Asmita Saha / 2007 / A 1-kV 4H-SiC Power DMOSFET Optimized for Low on-Resistance / IEEE Transactions on Electron Devices 54(10):2786~2791
Kono, Hiroshi / 2014 / 14.6 mΩcm2 3.3 kV DIMOSFET on 4H-SiC (000-1) / Materials Science Forum 778:935~938
Weizhong Chen / 2015 / A semi-superjunction MOSFET with P-type Bottom Assist Layer / Superlattices and Microstructures 83:745~754
Baliga. B. J. / 2006 / Silicon carbide power devices / World scientific
Asmita Saha / 2007 / A 1-kV 4H-SiC Power DMOSFET Optimized for Low on-Resistance / IEEE Transactions on Electron Devices 54(10):2786~2791
Kono, Hiroshi / 2014 / 14.6 mΩcm2 3.3 kV DIMOSFET on 4H-SiC (000-1) / Materials Science Forum 778:935~938
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