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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제2호
발행연도
1993.6
수록면
161 - 165 (5page)

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Si(100)와 Si(111) 표면에 에피 성장시킨 Ge의 기하학적, 전기적 구조가 scanning tunneling microscope로 연구되었다. Ge 원자는 scanning tunneling spectroscopy와 bias 전압을 달리한 STM 상에서 Si 원자와 구별되었다. 이것을 이용하여 Ge의 성장 형태를 연구하였다. (2×1) 재배열 구조를 가진 (100) 표면에서 Ge 성장층은 720K에서 B형의 step edge로부터 주로 성장하였다. (111) 표면에서도 주로 step edge에서 성장하였으며, Ge의 양과 annealing 온도에 따라 (5×5)와 (7×7) 구조가 보였다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

4. Summary

References

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