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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제2호
발행연도
1993.6
수록면
166 - 170 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1993

Si(111) - 7×7 표면의 초기산화 단계에서의 국부 일함수 변화
임삼호 ,  구세정 ,  김기정 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 1993.07 학술대회자료
Si(111)-7×7 표면의 초기산화 단계에서의 국부 일함수 변화
임삼호 ,  구세정 ,  김기정 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 1993.06 학술저널

초록· 키워드

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자외선-광전자-분광법(UPS)를 이용하여 저온(40K)으로 유지된 Si(111)-7×7 표면에 산소를 노출시킨 후 잰 평균 일함수가 제논-흡착-광전자 분광법(PAX)을 이용하여 잰 동일 표면의 변화된 부분의 국부 일함수보다 약 0.4V 가량 높은 것을 발견하였다. 이는 Si(111)-7×7 표면의 초기 산화 단계에서 커다란 일함수 변화를 유도하는 요인은 표면에 분자상태로 흡착된 산소임을 시사한다. 또한 Xe 3d 및 5p 에너지 밀도곡선들의 이동으로부터 변화된 부분의 일함수가 변화되지 않은 부분의 일함수보다 0.6eV 높은 것을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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