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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제2호
발행연도
1993.6
수록면
171 - 180 (10page)

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X-선 광전자 분광법(XPD)을 이용하여 GaAs(110) 절개면의 결정구조를 이해하였다. 각 분해 X-선 분광법으로 GaAs(110) 면의 내각준위 Ga 및 As 3d의 스펙트럼을 얻어, 이 내각 준위의 세기 비율(intensity ratio)의 방위각과 편각에 따른 변화를 SSC(Single Scattering Cluster) 모델에서 얻은 회절패턴으로 곡선분석(fitting)하여 절개면의 재구성 구조(reconstruction geometry)를 얻었다. 이 절개면의 재구성된 값은 다른 실험의 결과와 비슷하였다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Single Scattering Cluster Theory

3. Experiment

4. Results and Discussions

5. Summary

Acknowledgement

Reference

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001277804