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SbS_(1-x)Se_xI, BiS_(1-x)Se_xI, Sb_(1-x)Bi_xSI, Sb_(1-x)Bi_xSel, SbS_(1-x)Se_xI : Co, BiS_(1-x)Se_xI : Co, Sb_(1-x)Bi_xSI : Co, 및Sb_(1-x)Bi_xSeI : Co 단결정을 성장시키기 위하여, 투명석영관내에 고순도의 성분원소 혼합물을 넣고 진공봉입하여 iogot를 합성하였다. 합성된 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 이들 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이었고, energy band 구조는 간접전이형으로 주어졌으며, 조성 X에 따른 energy gap의 조성의존성은 E_g(x)=E_g(0)-Ax+BX²으로 주어진다. 불순물로 cobalt를 첨가할 때 나타나는 불순물 광흡수 peak는 모결정의 T_d 대칭점을 갖는 격자점에 첨가한 cobalt 가 Co²+, Co³+ ion으로 위치하고, 이들 ion의 energy 준위들 사이의 전자전이에 의해서 나타남을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과와 고찰

4. 결론

참고문헌

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