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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1996.12
- 수록면
- 354 - 358 (5page)
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precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition (PAMOCVD)에 의한 InGaAs의 성장시에 높은 indium의 유입이 관찰되었다. gallium 과 indium의 전구물질의 분해의 차이 그리고 이에 따른 분해된 전구물질 분자의 흡착행동의 차이를 고려함으로써 PAMOCVD 성장시의 결정내로의 높은 indium유입의 mechanism을 제안하였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and discussion
Ⅳ. Summary
References
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