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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
109 - 113 (5page)

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MBE로 성장한 AlGaAs/GaAs multiple-quantum well(MQW)에 대하여 pump source를 He-Ne laser와 Ar laser를 사용하여 상온에서 PR(photoreflectance)측정을 수행한 결과 여러 subband transition peak을 관찰하였다. PR결과를 standard analytic line shape으로 fitting하여 n=1의 conduction band와 heavy hole 그리고 light hole transition peak인 C1-H1, C1-L1에 대한 energy값들을 얻었다. 또한 상온에서의 PL(photoluminescence)측정에서 C1-H1, C1-L1과 관련된 main peak와 shoulder를 관찰하였다. 이 값은 PR 측정값과 잘 일치함으로써 PL에서의 main peak와 shoulder가 C1-H1, C1-L1과 관련된 peak임을 확인할 수 있었다. 또한 envelope function approximation(EFA)을 이용하여 구한 이론값과 PR과 PL에서 측정된 실험값들을 비교하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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