메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
A MeV ion implantation system with an 1.7 MV tandem Van de Graaff accelerator has been installed in the Korea Institute of Geology, Mining and Materials. Almost all ions from hydrogen to uranium with several MeV can be implanted. The implantation system consists of a raster beam scanner with scanning frequency 64×517 ㎐, a target holder capable of holding 5×5 ㎠ sample, a target cooler, an electron flooding gun and a Faraday cup with electron suppressor. The energy range of ions are from about 200 keV to 3.4 MeV in the case of hydrogen and about 200 keV to 12 MeV for As for instance. The maximum beam current at the target is about 5 μA depending on the ion production capability of the ion sources. The implantation nonuniformity is about 6%. The performance of the charge neutralization system is shown.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. KIGAM MeV Implantation System

Ⅲ. Implantation Uniformity

Ⅳ. Charge Neutralization

Ⅴ. Conclusion

Acknowledgements

References

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001260150