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As^+와 P^+ 이온들이 주입된 실리콘에서, 주입 이온들의 확산 및 실리콘의 재결정화에 열처리(thermal annealing)가 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 여기서 이온 주입량은 실리콘 표면영역을 비정질화하기에 충분한 양이였다. 이온 주입 시 실리콘 내부에 생성된 손상(damage)들을 제거하기 위해, 온도와 시간을 변화시켜 가며 시편을 전기로 속에서 열처리하였다. 그러나 이때 야기된 도우펀트들의 과도적인 확산(transient enhanced diffusion)에 의해서 접합 깊이는 예측한 것보다 더욱 깊은 곳에서 나타났다. 이러한 과도적인 확산은 주로 이온 주입으로 인해 야기된 시편들의 손상(damage)들을 제거하기 위한 열처리 과정동안 일어난 것으로 생각된다. 이것은 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ simulation에 의해서 확인할 수가 있었다'. As^+, P^+ 이온이 주입된 실리콘의 결정성 회복을 Raman 분광법을 이용하여 조사하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001261586