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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제2호
발행연도
2001.7
수록면
219 - 224 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (7)

2003

AlGaAs / GaAs HBT 에미터 전극용 Pd / Si계 오믹 접촉
김일호 Applied Science and Convergence Technology 2003.12 학술저널
AlGaAs/GaAs HBT 에미터 전극용 Pd/Ge계 오믹 접촉
김일호 한국재료학회지 2003.01 학술저널

2002

AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 ,  장경욱 Applied Science and Convergence Technology 2002.12 학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2002.04 학술저널

2001

AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Ti / Pt 오믹 접촉
김일호 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2001.10 학술저널
이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)의 에미터 접촉층으로 사용되는 InGaAs에 대한 Pd / Ge / Ti / Pt의 오믹 접촉 특성
김일호 ,  장경욱 ,  박성호 Applied Science and Convergence Technology 2001.07 학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호 한국진공학회 학술발표회초록집 2001.02 학술대회자료

초록· 키워드

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N형 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 450℃까지의 급속 열처리에 의해 우수한 오믹 특성을 나타내어 400℃, 10초의 급속 열처리 조건에서 최저 3.7×10^(-6) Ω㎠의 접촉 비저항을 나타내었다. 이는 열처리에 의해 생성된 Pd-Ge계 화합물의 형성 및 Ge의 InGaAs 표면으로의 확산과 관련이 있었다. 그러나 열처리시간을 연장할 경우 접촉 비저항이 low-10^(-5) Ω㎠로 약간 증가하였다. 고온 열처리 후에도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다고 판단된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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