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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.2
- 수록면
- 126 - 133 (8page)
이용수
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E-Beam 기법을 이용하여 증착시킨 Ag doped CdS 박막은 육방정계이고 공기, Ar 분위기에서 550℃로 열처리한 결과 grain size가 1 ㎛ 정도로 성장되었고, Van Der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS crystal은 n형 반도체이고 상온에서의 carrier 농도는 2.7×10^(11)㎝-³이고 Hall mobility는 5.8×10² ㎠ V^(-1)sec^(-1) 정도임을 알 수 있었다.
CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520 ㎚ 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.
CdS : Ag 박막의 PL spectra는 Gaussian curve를 보여주었고, spectra peak는 파장이 520 ㎚ 근처에 위치하고 있으며, CdS : Ag 박막에서의 광전류(pc)와 암전류(dc)의 ratio(pc/dc)는 공기중에서 열처리한 시료의 값이 크다는 것을 알 수 있었다.
목차
Abstract
요약
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussion
4. Conclusions
References
참고문헌 (0)
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