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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(2)호
발행연도
1999.12
수록면
536 - 540 (5page)

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본 연구에서는 SiO₂ side-wall 공정을 이용하여 내열금속 WN_x 자기정렬형 게이트 갈륨비 소 MESFET을 개발하였다. MESFET은 평면 대칭형 자기정렬 구조를 가지며, 이온주입법을 이용하여 집적화가 가능하게 하였다. 게이트전압 +0.6V에서 전달컨덕턴스는 354 mS/㎜, 포화전류는 171 ㎃/㎜를 나타내었다. RF 측정 결과 기생성분의 de-embedding없이 차단주파수는 43 ㎓이상으로 평가되었다. WN_x 자가정렬형 게이트 갈륨비소 MESFET 기술은 휴대전화기, 개인이동통신, 무선통신망과 같은 디지털 이동통신 시스템용 선형 전력 증폭기 집적회로나 다기능 모노리씩 집적회로를 구현하는데 활용될 것으로 기대된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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