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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제1호
발행연도
2003.3
수록면
20 - 24 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

Parametric model을 이용한 InGaAs 박막의 유전함수 연구
인용섭 ,  김태중 ,  최재규 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2003.03 학술저널
Parametric model을 이용한 CdMgTe 박막의 유전함수 연구
인용섭 ,  김태중 ,  공태호 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.02 학술대회자료

2002

Parametric model을 이용한 InGaAs 박막의 유전함수 연구
인용섭 ,  김태중 ,  최재규 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료

초록· 키워드

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Parametric semiconductor model을 이용하여 In_xGa_(1-x)As (0≤x≤1) 화합물 반도체 박막의 유전함수를 얻었다. Parametric model은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로 임계점에 대한 모델 유전 함수를 묘사하여 InGaAs 화합물의 광학 상수들을 재현할 수 있는 parameterized 함수를 제공하였다. 이러한 parametric 모델을 통하여 임의의 성분비 x에 대한 파라미터 값들을 얻었고, 이렇게 얻어진 파라미터들로부터 In_xGa_(1-x)As (0≤x≤1) 화합물 박막의 임의의 성분비에 대한 유전 함수를 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

후기

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