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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제2호
발행연도
2003.6
수록면
130 - 135 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

박막소자응용을 위한 Mo 기판 위에 고온결정화된 poly - Si 박막연구
김도영 ,  서창기 ,  심명석 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2003.06 학술저널
태양전지 응용을 위한 Mo 기판위에 고온 결정화된 poly - Si 박막 연구
김도영 ,  서창기 ,  박중현 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.02 학술대회자료

초록· 키워드

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최근, poly-Si 박막은 저가의 박막소자응용을 위하여 사용되어 왔다. 그러나, 유리기판 위에서 일반적인 고상결정화(SPC) 방식으로 poly-Si 박막을 얻기는 불가능하다. 이러한 단점 때문에 유리와 같은 저가기판 위에 poly-Si을 결정화하는 연구가 최근 다양하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 급속열처리(RTA)를 이용하여 유연한 기판인 몰리브덴 기판 위에서 a-Si:H를 성장시킨 후 고온결정화에 대한 연구를 진행하였다. 고온결정화된 poly-Si 박막은 150μm 두께의 몰리브덴 기판 위에 성장되었으며 결정화 온도는 고 진공하에서 750℃～1050℃ 사이에서 결정화된 시료에 대하여 결정화도, 결정화 면방향, 표면구조 및 전기적 특성이 조사되었다. 결정화온도 1050℃에서 3분간 결정화된 시료의 결정화도는 92%를 나타내고 있었다. 결정화된 poly-Si 박막으로 제작된 TFT 소자로부터 전계효과 이동도 67 ㎠/Vs을 얻을 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

후기

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