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CAICISS장치를 이용하여 깨끗한 Si(001) 표면에서 재배열하는 dimer의 원자구조를 분석하였다. Si(001) 표면에서 dimer 원자가 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry(2×1)구조와 c(4×2)구조가 공존하고 있음을 밝혔다. dimer 원자의 결합거리는 2.3±0.1 Å이고, buckling 각은 18±1° 였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 및 분석 원리

3. 결과 및 분석

4. 결론

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