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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제3호
발행연도
2004.9
수록면
109 - 113 (5page)

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InP에서 열처리 온도와 시간 및 활성화 온도에 따른 Zn의 확산의 특성을 electrochemical capacitance-voltage 법으로 조사하였다. InP층은 metal organic chemical vapor deposition를 이용하여 성장하였으며, 확산방법으로는 Zn₃P₂ 확산원 박막과 rapid thermal annealing를 사용하였다. 최대의 정공 농도를 갖는 p-InP 층은 550 ℃에서 5분 동안 확산과 활성화를 한 시료에서 얻었고, Zn의 농도는 1×10^(19) ㎝-³이었다. 550 ℃에서 5+20 분 동안 확산을 수행한 결과 정공농도의 확산 깊이는 1.51㎛에서 3.23㎛로 이동하였고, Zn의 확산계수는 5.4×10^(-11) ㎠/sec이었다. 활성화 시간의 증가로, Zn가 더 깊게 확산하지만, 정공농도는 거의 변화가 없었다. 이는 도핑된 영역의 과잉의 침입형 Zn가 도핑되지 않은 영역으로 빠르게 확산하고 치환형 Zn로 변한다는 것을 의미한다. 정공농도는 SiO₂ 박막의 두께가 1,000Å 이상이어야 안정적으로 분포된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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