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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
81 - 88 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

다층 적층법을 이용한 수평 자기정렬 InGaAs/GaAs 양자점의 광학적 특성 연구
김준오 ,  이상준 ,  김창수 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2007.02 학술대회자료

2006

수평 자기정렬 InGaAs/GaAs 양자점의 형태 및 분광 특성연구
김준오 ,  최정우 ,  이상준 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2006.01 학술저널

초록· 키워드

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다중 적층법을 이용하여 수평방향으로 자기정렬된 InGaAs/GaAs 양자점(quantum dot, QD)을 제작하고, 원자력간 현미경(AFM) 사진과 발광(PL) 스펙트럼을 이용하여 QD의 특성을 분석하였다. 적층주기가 증가함에 따라 정렬 QD의 길이가 길어지고, 임계 성장온도 이상에서는 QD 사이의 상호확 산에 의하여 양자선 형태로 변화함을 관측하였다. 성장 변수가 서로 다른 4개 시료의 비교 분석을 통하 여, 수직으로 적층되면서 비등방성 정렬이 이루어지고, 수 ㎛ 이상 1차원적으로 정렬된 QD 사슬 모양 의 구조를 얻을 수 있었다. 또한 성장일시멈춤 과정을 통한 이주시간의 증가는 QD의 1차원 정렬에 중 요한 변수임을 알 수 있었다. 고온에서 덮개층을 형성한 QD 구조에서 관측된 발광 에너지의 청색변위 현상은 InGaAs QD로부터 In이 덮개 층으로 확산 되었기 때문으로 해석된다.
#인듐갈륨비소 #양자점 #자기 정렬 #원자력간 현미경 #발광 #InGaAs #Quantum dot #Self-alignment #Atomic force microscope #Photoluminescence

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (0)

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