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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.3
- 수록면
- 139 - 144 (6page)
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Scanning tunneling microscopy (STM)를 이용하여 Si(111)4×1-In 표면에의 수소원자 흡착의 영향을 고찰하였다. STM 이미지에서 수소원자는 4×1-In chain의 한 쪽 줄에 있는 두개의 연속된 밝은 부분 사이에 위치한다. 이 H 원자는 두 줄의 zigzag subchain 중의 한 쪽에만 선택적으로 흡착되는 경향성을 보이며 이는 수소원자의 흡착에 표면 밑의 구조가 영향을 미침을 시사한다. 표면에 흡착된 수소원자는 흡착위치 주위의 국소적 변형 뿐 만 아니라 chain 방향으로 멀리 떨어진 곳에도 영향을 미쳐서 STM 이미지에 두 배 주기의 modulation이 나타나게 한다. 수소흡착에 의해 유도되는 두 배 주기의 modulation은 기존에 보고된 Na 원자 흡착에 의해 유도되는 상과 다름을 확인하였다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
참고문헌 (2)
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