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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제3호
발행연도
2006.5
수록면
294 - 300 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

InP/InGaAs/InP 분포귀환형 회절격자 위에 성장된 InAs/InAlGaAs 양자점의 구조적ㆍ광학적 특성
곽호상 ,  김진수 ,  이진홍 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2006.05 학술저널
Fabrication of InP/InGaAs/InP distributed feedback grating structure and its effect on the formation of InAs/InAlGaAs quantum dot
곽호상 ,  김진수 ,  이진홍 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

초록· 키워드

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금속유기화학증착기 (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 분포귀환형(distributed feed back) InP/InGaAs/InP 회절격자 구조를 제작하고 원자력간현미경 (atomic force microscopy)과 주사전자현미경 (scanning electron microscopy) 실험을 통해 표면 및 단면을 분석하였다. 그 위에 분자선증착기(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 자발형성 (self-assembled) InAs/InAlGaAs 양자점 (quantum dot)을 성장하고, 광학적 특성을 온도변화 광여기 발광 (photoluminescence)으로 회절격자 구조 없이 성장한 양자점 시료와 비교 분석하였다. 회절격자의 간격 대비 폭의 비가 약 30 %인 InP/InGaAs/InP 회절격자가 제작되었으며, 그 위에 성장된 양자점의 경우 상온 파장이 1605 ㎚에서 PL이 관찰되었다. 이는 회절격자 없이 같은 조건에서 성장된 시료의 상온 파장인 1587 ㎚ 보다 장파장에서 발광하였으며, 회절격자의 영향으로 양자점 크기가 변하였음을 조사하였다.
#분포귀환형 #InAs/InAlGaAs #양자점 #분자선증착기 #Distributed feedback #Quantum dot #Molecular beam epitaxy

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고 문헌
Abstract

참고문헌 (0)

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