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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제4호
발행연도
2006.7
수록면
374 - 379 (6page)

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본 연구에서는 전계 방출소자로 사용하기 위한 탄소나노튜브의 합성 방법으로, pin to plate type의 대기압 플라즈마 소스를 사용한 AP PECVD(Atmosphere pressure plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하였으며, 이를 통하여 대기압에서 성장된 탄소나노튜브의 구조적 및 전기적 특성을 연구하였다. 유리/크롬/니켈을 기판으로 사용하여 400 ~ 500℃ 변화영역에서 탄소나노튜브를 성장시킨 결과, 다중벽 탄소나노튜브가 얻어짐을 알 수 있었다. 500℃에서 성장시킨 탄소나노튜브의 경우 FT Raman을 이용한 분석 결과 ID / IG ratio 가 0.772임을 관찰 하였으며 TEM으로 분석결과, 내부의 그래파이트층은 15-20층, 내부 직경은 10-15㎚, 외부 직경은 30-40㎚이고, 각 층간의 간격은 0.3㎚ 임을 알 수 있었다. 또한 전계방출 문턱전압은 2.92V/㎛이고, FED에서 요구되는 1㎃/㎠의 방출전류밀도는 5.325V/㎛의 문턱전압 값을 가지는 것을 관찰 하였다.
#탄소나노튜브 #대기압 플라즈마 #전계방출 #Carbon nanotubes #Atmospheric pressure plasma #Field emission

목차

한국어 초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
영어 초록

참고문헌 (0)

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