어븀‐실리사이드/p‐형 실리콘 접합에서 쇼트키 장벽 높이 변화

이솔; 전승호; 고창훈; 한문섭; 장문규; 이성재; 박경완

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이솔 전승호 고창훈 한문섭 장문규 이성재 박경완

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제3호

발행연도: 2007.5

수록면: 197 - 204 (8page)

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p-형 실리콘 기판 위에 수 A 두께의 어븀 금속을 증착하고, 후열처리 과정을 통하여 어븀-실리사이드/ p-형 실리콘 접합을 형성하였다. 초고진공 자외선 광전자 분광 실험을 통하여 증착한 어븀의 두께에 따라 어븀?실리사이드의 일함수가 4.1 eV까지 급하게 감소하는 것을 관찰하였으며, X-ray 회절 실험에 의하여 형성된 어븀 실리사이드가 주로 Er?Si₃상으로 구성되어 있음을 밝혔다. 또한, 어븀-실리사이드/ p-형 실리콘 접합에 알루미늄 전극을 부착하여 쇼트키 다이오드를 제작하고, 전류-전압 곡선을 측정하여 쇼트키 장벽의 높이를 산출하였다. 산출된 쇼트키 장벽의 높이는 0.44 ~ 0.78 eV이었으며 어븀 두께 변화에 따른 상관 관계를 찾기 어려웠다. 그리고 이상적인 쇼트키 접합을 가정하고 이미 측정한 일함수로부터 산출한 쇼트키 장벽의 높이는 전류-전압 곡선으로부터 산출한 값에 크게 벗어났으며, 이는 어븀-실리사이드가 주로 Er?Si₃상으로 구성되어 있고, Er?Si₃/ p-형 실리콘 계면에 존재하는 고밀도의 계면 상태에 기인한 것으로 사료된다.

#어븀‐실리사이드 #쇼트키 접합 #자외선 광전자 분광법 #쇼트키 다이오드 #일 함수 #쇼트키 장벽 높이 #Er‐silicide #Schottky junction #Ultraviolet Photoemission Spectroscopy #Schottky diode #Work function #Schottky barrier height

참고문헌 (2)

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1. [학술지(정기간행물)] - / 1981 / Physics of Semiconductor Devices

2. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / Properties of Metal Silicides : 169 ~ 223

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