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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.11
- 수록면
- 544 - 548 (5page)
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반도체 공정에서 가장 많은 시간과 비용을 차지하는 공정 중 하나는 Photoresist strip 공정이다. 따라서 보다 빠르게 PR의 strip 공정을 단축하기 위한 연구가 계속 진행중에 있다. 하지만 기존 사용중인 strip용액을 대체하기 위한 물질을 찾는 것은 많은 비용을 수반한다. 본 연구에서는 PR의 strip 시간을 최대한 단축시키고 PR strip 잔여물의 빠른 제거를 위하여 기존 공정에서 사용 중인 strip 약액을 플라즈마에 의하여 활성화하는 방법(Plasma Liquid-Vapor Activation: PLVA)으로 PR strip 시간을 최대한 줄이는 방법에 대한 연구를 진행하였으며, 활성화된 strip용액이 더욱 빠른 strip율 성능을 나타내는 것을 확인하였다. 또한 PR strip에서 이온에 의한 영향을 받은 HDI-PR (high dose implanted photoresist)은 기존 strip용액으로 제거가 불가능하였다. 하지만 본 연구에서 제시한 PLVA 방법으로 활성화된 용액에서는 그 가능성을 확인하였고, 이러한 PLVA 방법에 대한 물리적 연구를 위하여 HDI-PR 표면 내력의 변화를 측정하였다. 그 결과 PLVA 처리 전ㆍ후 HDI-PR의 표면 내력에 큰 변화를 확인하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [단행본] - C.C. Cheng / 1995 / A down stream plasma process for post-etch residue cleaning / Semiconductor International : 185 ~ 188
2. [학술지(정기간행물)] - P. M. Visintin / 2006 / J. Electrochem / Soc 153 (G591)
3. [학술지(정기간행물)] - T. Ohmi / 1992 / J. Electrochem / Soc 139 (11)
4. [기타자료] - S. I. Kim / / J. Korean Phys / Soc
5. [학술지(정기간행물)] - 김수인 / 2008 / 플라즈마 약액 활성화 방법을 이용한 Photoresist strip 가속화 연구 / 한국진공학회지 17 (2) : 113 ~ 116
2. [학술지(정기간행물)] - P. M. Visintin / 2006 / J. Electrochem / Soc 153 (G591)
3. [학술지(정기간행물)] - T. Ohmi / 1992 / J. Electrochem / Soc 139 (11)
4. [기타자료] - S. I. Kim / / J. Korean Phys / Soc
5. [학술지(정기간행물)] - 김수인 / 2008 / 플라즈마 약액 활성화 방법을 이용한 Photoresist strip 가속화 연구 / 한국진공학회지 17 (2) : 113 ~ 116
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