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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.9
- 수록면
- 331 - 340 (10page)
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초고주파 다중 중공 음극 방전을 이용한 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 3차원 수치 모델링하였다. 기본적인 방전 특성을 파악하기 위하여 알곤 플라즈마를 40 ㎒, 100 V, 133.3 Pa (1 Torr)의 조건에 대해서 계산하였다. 6 ㎜ 직경의 홀을 20㎜ 간격으로 배열하였고 전극 간격은 10 ㎜를 가정하였다. 피크 플라즈마 밀도는 홀의 하부 중앙에서 5×10¹¹ #/㎤ 였으며 전자 온도는 접지 상태로 가정한 기판과 챔버 벽면 주위에서 가장 높았다. 준안정 상태에 의한 2단 이온화 속도는 전자 충돌에 의한 직접 이온화보다 10배 가량 높았다. 수소에 대한 계산에서는 이온화 이외의 다양한 에너지 소모 경로가 있어서 방전의 국재화가 잘 이루어지지 않았다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 계산 방법
Ⅲ. 계산결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - A. C. W. Biebericher / 2000 / / Appl. Phys. Lett. 76 : 2002 ~
2. [학술지(정기간행물)] - K. S. Kim / 2000 / / J. Korea Inst. Chem. Eng. 38 : 869 ~
3. [학술지(정기간행물)] - A. Y. Kovalgin / 2007 / / Surf. Coat. Technol. 201 : 8849 ~
4. [학술지(정기간행물)] - 배상현 / 2008 / 고밀도 유도 결합 플라즈마 장치의 SiH₄/O₂/Ar방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터 개발 / 한국진공학회지 17 (5) : 426 ~ 434
5. [학술지(정기간행물)] - Y. Nakano / 2006 / / Thin Solild Films 506 : 33 ~
2. [학술지(정기간행물)] - K. S. Kim / 2000 / / J. Korea Inst. Chem. Eng. 38 : 869 ~
3. [학술지(정기간행물)] - A. Y. Kovalgin / 2007 / / Surf. Coat. Technol. 201 : 8849 ~
4. [학술지(정기간행물)] - 배상현 / 2008 / 고밀도 유도 결합 플라즈마 장치의 SiH₄/O₂/Ar방전에 대한 공간 평균 시뮬레이터 개발 / 한국진공학회지 17 (5) : 426 ~ 434
5. [학술지(정기간행물)] - Y. Nakano / 2006 / / Thin Solild Films 506 : 33 ~
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