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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 31 - 36 (6page)
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마이크로플라즈마 화학기상증착법(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition, MPCVD)에 의하여 형성된 비정질 탄소 박막의 효율적인 도핑 공정을 위하여, 비정질 탄소 박막의 성장 직전 nucleated seed 상태의 기판 혹은 일부 성장된 박막 위에 비소(As) 이온을 이온 주입하였고 그 직후 다시 MPCVD에 의하여 박막을 성장시켰다. MPCVD에 의한 성장 자체가 약 500~600oC 온도에서의 어닐링 공정을 대체할 수 있으므로, 기존의 이온 주입 후 별도의 어닐링 공정과 비교 시 간략화된 공정으로도 어닐링 효과가 있다고 할 수 있다. 이온 주입 후 박막 성장으로 어닐링 효과를 얻은 비정질 탄소 박막의 경우, 2.5 V/μm의 전계에서 약 0.1 mA/cm2의 전계 방출 특성을 관찰할 수 있었고 또한 라만 스펙트럼 특성에서도 다이아몬드 특성 및 그래파이트 특성 모두 뚜렷이 관찰되었다. 전기적, 구조적 특성 관찰로부터 이온 주입된 As 이온이 자동 어닐링 효과에 의해 충분히 비정질 탄소 박막에 도핑되었다고 할 수 있다.
목차
I. 서론
II. 실험방법
III. 실험결과 및 고찰
IV. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
칼릴 하피츠 / 2012 / Anisotropic Electronic Transport of Graphene on a Nano-Patterned Substrate / 한국진공학회지 21(5):279~285
장성원 / 2012 / 열 화학기상증착법을 이용한 수직 정렬된 단일벽 탄소나노튜브의 합성 / 한국진공학회지 21(2):113~119
김태민 / 2010 / 수직 가열로를 이용한 고순도 단일벽 탄소나노튜브 섬유의 합성 / 한국진공학회지 19(5):377~384
우형수 / 2011 / 금속 코팅된 탄소나노튜브의 전계 방출 특성 및 신뢰성 향상 / 한국진공학회지 20(6):436~441
N. Schauer / 1996 / Appl. Phys. Lett 15:366
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