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논문 기본 정보

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학술저널
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이창현 (고려대학교) 박현정 (고려대학교) 송호영 (고려대학교) 이현주 (도요타 기술 연구소) Yoshio Ohshita (도요타 기술 연구소) 강윤묵 (고려대학교) 이해석 (고려대학교) 김동환 (고려대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.7 No.4
발행연도
2019.12
수록면
125 - 129 (5page)

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Recently, carrier-selective contact solar cells have attracted much interests because of its high efficiency with low recombination current density. In this study, we investigated the effect of phosphorus doped amorphous silicon layer’s characteristics on the passivation properties of tunnel oxide passivated carrier-selective contact solar cells. We fabricated symmetric structure sample with poly-Si/SiOx/c-Si by deposition of phosphorus doped amorphous silicon layer on the silicon oxide with subsequent annealing and hydrogenation process. We varied deposition temperature, deposition thickness, and annealing conditions, and blistering, lifetime and passivation quality was evaluated. The result showed that blistering can be controlled by deposition temperature, and passivation quality can be improved by controlling annealing conditions. Finally, we achieved blistering-free electron carrier-selective contact with 730mV of i-Voc, and cell-like structure consisted of front boron emitter and rear passivated contact showed 682mV i-Voc.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (7)

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