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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.3
- 발행연도
- 2020.6
- 수록면
- 271 - 280 (10page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.3.271
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This paper demonstrates that the read output voltage difference between data and reference voltages in spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory is not a single Gaussian distribution but composed of two Gaussian distributions. In addition, a multiple-point tail fitting yield estimation method is proposed to estimate read yield with high accuracy. Monte Carlo HSPICE simulation results, based on industry-compatible 45- nm model parameters, show that the proposed multiple-point tail fitting method improves accuracy by 10x, 4.8x, and 1.9x compared with the normal fitting, importance sampling, and two-point tail fitting methods, respectively.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DISTRIBUTION ANALYSIS OF ΔV IN SENSING CIRCUIT
III. CHALLENGES OF EXISTING YIELD ESTIMATION METHODS
IV. TAIL FITTING YIELD ESTIMATION METHOD (TWO-POINT)
V. SELECTION OF P₁ AND P₂ IN TAIL FITTING METHOD
VI. MULTIPLE-POINT TAIL FITTING METHOD
VII. SIMULATION RESULTS AND COMPARISON
VIII. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (27)
참고문헌 신청
A. Asenov et al., “Simulation of intrinsic parameter fluctuations in decananometer and nanometer-scale MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, no. 9, pp. 1837?1852, Sep. 2003.
R. Heald et al., “Variability in sub-100-nm SRAM designs,” in Proc. IEEE/ACM Int. Conf. Comput.- Aided Des., nov. 2004, pp. 347?352.
A. J. Bhavnagarwala et al., “The impact of intrinsic device fluctuations on CMOS SRAM cell stability,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36, no. 4, pp. 658?665, Apr. 2001.
M. H. Abu-Rahma et al., “A methodology for statistical estimation of read access yield in SRAMs,” in Nanometer variation-tolerant SRAM, 1st ed. Springer, 2013, pp. 119-153.
H. Nho et al., “Numerical estimation of yield in sub-100-nm SRAM design using Monte Carlo simulation,” IEEE Trans. Circuit Syst. II, vol. 55, no. 9, pp. 907?911, Sep. 2008.
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