Preparation of $(Bi,La)Ti_{3}O_{12}$ Thin Films on $Al_{2}O_{3}/Si$ Substrates by the Sol-Gel Method

Chang, Ho Jung; Hwang, Sun Hwan; Chang, Ho Sung; Sawada, K.; Ishida, M.

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저자정보: Chang, Ho Jung (Dept. Electronics Engineering, Dankook University) Hwang, Sun Hwan (Dept. Electronics Engineering, Dankook University) Chang, Ho Sung (Dept. Electrical, Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Sawada, K. (Dept. Electrical and Electronics Engineering, Toyohashi University of Technology) Ishida, M. (Dept. Electrical and Electronics Engineering, Toyohashi University of Technology)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집

발행연도: 2002.1

수록면: 69 - 71 (3page)

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$(Bi, La)Ti_{3}O_{12}(BLT)$ ferroelectric thin films were prepared on $Al_{2}O_{3}/Si$ substrates by the sol-gel method. The as-coated films were post-annealed at the temperature of $650^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$ for 30 min. The crystallinty, surface morphologies and electrical properties were affected by the annealing temperatures. The BLT films annealed at above $650^{\circ}C$ exhibited typical bismuth layered perovskite structures with (00$\ell$) preferred orientation. The granular shaped grains with a size of approximately 90nm was formed in the film sample annealed at $700^{\circ}C$. The memory window volatge of the BLT film was 2.5V. The leakage current of BLT films annealed at $650^{\circ}C$ was about $1\times10^{-7}A/\textrm{cm}^2$ at 3V.

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Sawada, K.

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Ishida, M.

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