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자료유형
학술대회자료
저자정보
Yu, Se-Gi (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Yi, Whi-Kun (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Lee, Sang-Hyun (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Heo, Jung-Na (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Jeong, Tae-Won (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Lee, Jeong-Hee (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Lee, Soo-Chang (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Kim, J.M. (NCRI, Center for Electron Emission Source, Samsung Advanced Institute of Technology) Lee, Cheol-Jin (Department of Nanotechnology, Hangyang University) Lyu, Seung-Chul (Department of Nanotechnology, Hangyang University) Han, Jae-Hee (Center for Nanotubes and Nanostructured Composites, Sungkyunkwan University) Yoo, Ji-Beom (Center for Nanotubes and Nanostructured Composites, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2002.1
수록면
1,028 - 1,031 (4page)

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Ga-based semiconductor nanowires (GaN, GaP) were synthesized by the reaction of Ga metal and GaN/GaP powder with a $NH_3/Ar$ gas using thermal chemical vapor deposition. The field emission and emission stability under oxygen and argon environments were investigated. Field emission energy distributions of electrons from these nanowires revealed that field emission mechanism of the semiconductor nanowires were different from carbon nanotubes.

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