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Department of electronic and computer engineering The Hong Kong University of Science and Technology (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic T) Li, Juan (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronic Inform) Chong, Luo (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nankai University, Key Laboratory of Opto-electronic Info) Ying, Yao (Institute of Photo-electronics, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology, Nank) He, Li Meng, Zhiguo Chunya, Wu Xiong, Shaozhen Kwok, Hoi-Sing
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,608 - 1,611 (4page)

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Here the hydrogen passivation treatment has been adopted to enhance the performance of poly-Si crystallized by YAG laser annealing (LA poly-Si). We have investigated the effects of passivation time, passivation power and passivation temperature on the hall mobility of the LA poly-Si and analyzed the mechanism of the hydrogen passivation preliminary. It has been found that the quality of the poly-Si annealed by YAG laser could be improved after proper hydrogen plasma treatment.
#Hydrogen passivation #poly-Si #YAG laser annealing #crystallization

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