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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 191 - 191 (1page)
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We report on the metal-insulator transition that occurs as a function of film thickness in ultrathin $La_{0.75}Sr_{0.25}VO_3$ films. The metal-insulator transition displays a critical thickness of 5 unit cell. Above the critical thickness, metallic films exhibit a temperature driven metal-insulator transition with weak localization behavior. With decreasing film thickness, oxygen octahedron rotation in the films increases, causing enhanced electron-electron correlation. The electron-electron correlations in ultrathin films induce the transition from metal to insulator in addition to Anderson localization.
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