Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

E-ION

M. Roegie ,  s

Lubricants Symposium

2004 .09

표적 검출을 위한 주사방법들의 성능평가

이문규

제어로봇시스템학회 논문지

2013 .01

Characteristics of Deposited Si Electrode According to the Charge-Rate

Chae ho Lim ,  Chang Mook Hwang ,  Jong Wan PARK

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

The Study of Distribution of Ions Channeling in Single Crystals by Computer Modeling

A.M. Rasulov

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2008 .06

복도에서의 angular profile 모델을 통한 angular profile 추정 연구

문현욱 ,  권세웅 ,  이병선 외 3명

한국통신학회 학술대회논문집

2005 .06

자동차 와이퍼 피봇의 각속도 및 각가속도 측정

이병수

한국자동차공학회논문집

2005 .07

Angular 스펙트럼을 이용한 3차원 영상 합성

이일우 ,  이재수 ,  양훈기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Angular 스펙트럼을 이용한 3차원 영상 합성 ( 3-Dimensional Image Synthesis Using Angular Spectrum )

이일우 ,  이재수 ,  양훈기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

STUDY OF TITANIUM ALLOY IN THE CHANGING CHANNEL ANGULAR EXTRUSION

Dyi-Cheng Chen ,  Jia-Ci Wang ,  Jhih-Syuan Pan 외 2명

기타자료

2008 .09

Deposition of polycrystalline Si thin film on glass substrates by using a direct negative Si ion beam source

김유성 ,  최대한 ,  최비공 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2006 .04

Performance Analysis of Si-Based Thin Film Solar Cells

Jeong Chul Lee ,  Snag Won Jun ,  Jae Ho Yun 외 3명

한국태양에너지학회 학술대회논문집

2004 .10

급속응고 Al-20 wt% Si 합금분말 압출재의 ECAP

서민홍 ,  홍순직 ,  팜쾅 외 2명

한국분말야금학회지

2004 .01

Application of Rapid Thermal Annealing To Activation in Low Temperature Polycrystalline Si Thin Films

Lee ,  Jong-Won ,  So 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2007 .01

멀티모드 광섬유의 각분포와 Angular Multiplexing에 관한 연구 ( A Study on The Angular Distribution and Angular Multiplexing in Multimode Optical Fibers )

허선종 ,  반재경 ,  오창석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

a-Si TFT용, Si $O_{x}$의 저온성장에 관한 연구

정일채 ,  백청아 ,  이주현 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

A Study on the Interface of the Au/Si ( 111 ) System by High Energy Ion Channeling and X-Ray Photoelectron Spectroscopy

Jong Moon

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1993 .01