MOVPE법으로 GaN위에 성장시킨 A1InN 박막의 광학적 특성

신동원 ,  김성익 ,  허증수

한국재료학회지

2002 .01

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅱ. MOVPE공정 및 특징

정원국

한국표면공학회지

1990 .06

MOVPE 단결정층 성장법 Ⅳ. MOVPE 및 ALE 반응경로

정원국

한국표면공학회지

1991 .03

선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Laser Diode by Selective MOVPE )

서준호 ,  권용환 ,  정원국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP / Inp Laser Diode by Selective MOVPE )

서준호 ,  권용환 ,  정원국 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

V-Groove가 형성된 High Miller Index GaAs 기판 위의 MOVPE 에피 성장 연구

김무성 ,  김용 ,  이민석 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

V-Groove가 형성된 High Miller Index의 GaAs 기판 위에 MOVPE 에피 성장시 나타나는 Facet 연구

김무성 ,  김용 ,  박용주 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

균일한 조성 . 두께를 갖는 Hg0.8 Cd0.2 Te 박막결정의 MOVPE 성장

서상희 ,  문성욱 ,  송종형 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

PA-MBE 법으로 성장된 N-/In-rich InN의 구조 및 광학적 특성 분석

강유환 ,  노정현 ,  나용운 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

( 100 ) GaAs 기판의 방위 이탈각이 MOVPE 방법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성에 미치는 영향

서상희 ,  임성욱 ,  송종형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

III-V족 화합물 반도체 이질접합구조 성장을 위한 MOVPE와 MO-ALE

정원국

대한전자공학회 워크샵

1990 .01

MOVPE GROWTH OF HgCdTe EPILAYER WITH ARSENIC DOPING

Sang-Hee SUH ,  Jin-Sang KIM ,  Jong-Hyeong SONG 외 1명

한국표면공학회지

1996 .10

회원작품 - 광주 홀리데이인 호텔

신창훈 ,  이용익

건축사

2013 .01

적색 반도체 레이저를 위한 GaInP / AlGaInP Heterostructure의 MOVPE성장 ( MOVPE Growth of GaInP / AlGaInP Heterostructure for Red Diode Laser )

오명석 ,  김남헌 ,  이창호 외 2명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

RHEED에 의한 GaN, InN 핵생성층의 열처리 효과 분석

나현석

열처리공학회지

2016 .01

1.3μm Spot-Size Converter Integrated Laser Diodes Simply Fabricated by Narrow-Stripe Selective MOVPE

H. Yamazaki ,  K. Kudo ,  T. Sasaki 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

적색 반도체 레이저를 위한 GaInP / AlGaInP Heterostructure의 MOVPE성장 ( MOVPE Growth of GaInP / AlGaInP Heterostructure ofr Red Diode Laser )

오명석 ,  김남헌 ,  이창호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Green and Blue Light Emitting InN/GaN Quantum Wells with Nanosize Structures Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Je Won Kim ,  Kyu Han Lee

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2005 .06