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학술저널
저자정보
최치규 (제주대학교 물리학과) 강민성 (제주대학교 물리학과) 오경숙 (제주대학교 물리학과) 이유성 (제주대학교 물리학과) 오대현 (제주대학교 물리학과) 황찬용 (한국표준연구원 소재특성평가 센터) 손종원 (한국과학기술원 전자재료공학과) 이정용 (경상대학교 물리학과 및 기초과학연구소) 김건호 (Department of Physics, Cheju National University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제9권 제11호
발행연도
1999.1
수록면
1,129 - 1,136 (8page)

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TEMAT precursor를 사용하여 다양한 증착 조건으로 ICP-CVD 방법으로 Si(100) 기판 위에 TiN 박막을 형성하였다. 형성된 TiN 박막의 결정상, 미세구조, 그리고 전기적 특성은 XRD, XPS, HRTEM, 그리고 전기적 측정으로 특성을 조사하였다. BI 구조를 갖는 다결정 TiN 박막은 기판의 온도가 $200^{\circ}C$ 이상의 온도에서 형성되었다. TiN(111) 박막은 기판의 온도가 $300^{\circ}C$에서 TEMAT, $\textrm{N}_{2}$, 그리고 Ar 가스의 유량이 10, 5, 그리고 5sccm으로 반응로에 주입할 때 형성되었다. TiN/Si(100) 계면은 TiN과 $\textrm{SiO}_2$사이에 계면반응이 없었으며 평탄하였다. 기판의 온도가 $500^{\circ}C$에서 형성된 TiN 박막의 비저항, carrier 농도와 이동도는 21 $\mu\Omega$cm, 9.5$\times\textrm{10}^{18}\textrm{cm}^{-3}$와 $462.6\textrm{cm}^{2}$/Vs으로 주어졌다.

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