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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김기환 (한국과학기술원) 윤재호 (한국과학기술원) 이두열 (한국과학기술원) 안병태 (한국과학기술원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제12호
발행연도
2002.1
수록면
918 - 923 (6page)

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In this work, CdTe films were deposited on CdS/ITO/glass substrate by a close spaced sublimation (CSS) method. A $Cu_2$Te layer was deposited on the CdTe film by evaporating $Cu_2$Te powder. Then the samples were annealed for p+ ohmic contact. TEM and XRD analysis showed that $CdTe/Cu_2$Te interface exhibited different forms with various annealing temperature. A good p+ ohmic contact was achieved when the annealing temperature was between $180^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. Best cell efficiency of 12.34% was obtained when post annealing temperature was $200^{\circ}C$ for 5 min. Thermal stress test of the CdS/CdTe cells with carbon back contact showed that the $Cu_2$Te contact was stable at $50^{\circ}C$ in $N_2$ and was slowly degraded at $100^{\circ}C$ in $N_2$. In comparison to the conventional carbon contact, the $Cu_2$Te contact showed a better thermal stability.

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